（用于低K介電質和硅裝置的渣滓去除劑） 去除低鉀介電材料灰性渣滓的有效氧化和螯合體系，去除蝕刻污染物，從而使硅p-n結裝置穩(wěn)定化。 特點 · 可得到化學潔凈表面 · 不侵蝕基板 · 接點漏電性低 · 電子雪崩擊穿銳 · 高溫電學性質穩(wěn)定 · 產(chǎn)品產(chǎn)率高 · 無危害性 · 可用水沖洗 低K介電質渣滓去除劑Sequestrox 說明 Sequestrox配方支持低于0.25m技術的向前進展。廠家需要用渣滓去除劑清洗電路、金屬線、灰溝和金屬蝕刻渣滓。否則蝕刻過程產(chǎn)生的渣滓行將影響裝置的效率和性能。 Sequestrox體系采用專利化學技術絡合和螯合渣滓和污染物。Ⅰ型到Ⅳ型Sequestrox不含有鈉。所有各型號Sequestrox用過后皆易用去離子水沖洗。而且不苛求馬上沖洗。Sequestrox化學作用緩和了對敏感金屬蝕刻率低。 益處 · 低溫加工處理過程 · 與大多數(shù)低K膜相匹配 · 水溶液，無危害性 · 低氧化蝕刻速率 · SequestroxⅠ型、Ⅱ型和Ⅲ型與Ag、Cu、Ni相匹配 · SequestroxⅣ型與Mo、W、Ag、Al、Cu及鋼相匹配 應用 Sequestrox體系與HDPE、LDPE、PP、橡膠以及聚四氟乙烯涂蓋材料相匹配。 SequestroxⅠ型、Ⅱ型和Ⅲ型 第一步，預先混合等體積的SequestroxⅠ型和Ⅱ型。將裝置立即放在此混合液中，并作超聲洗滌1-2分鐘。 第二步，加入Ⅲ型Sequestrox溶液（每100ml上述混合液加Ⅲ型溶液10ml），再繼續(xù)作超聲洗滌1.5分鐘。用去離子水沖洗。 Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox用于洗滌銅和鎳 第一步，預先混合好等體積的Ⅰ型和Ⅱ型溶液。立即將裝置放入此混合液中并作超聲洗滌1-2分鐘。 第二步，用去離子水沖洗。然后用丙酮，或最好用Transene100作超聲徹底清洗。 Ⅳ型Sequestrox用于清洗鎢和鉬 第一步，將裝置放在Ⅳ型Sequestrox溶液中，在室溫下超聲洗滌3分鐘。 第二步，先用去離子水沖洗，然后用丙酮或Transene100沖洗。 用于硅裝置的Sequestrox蝕刻添加劑 說明 Sequestrox體系是特殊電解質配方，配合用于蝕刻過程生產(chǎn)硅p-n結裝置以改進產(chǎn)品質量和效率。標準蝕刻過程（硝酸-HF-醋酸）雖能去除蝕刻掉的硅，但是總有渣滓污染物在表面殘留。這些雜質來源于蝕刻溶液和硅裝置的暴露的金屬部分。為了避免裝置發(fā)生故障，必須徹底清除所有這些污染物質。采用Sequestrox體系作為蝕刻添加劑便可順利完成此項任務。 生產(chǎn)Sequestrox體系采用的試劑能有效氧化、絡合和螯合硅表面產(chǎn)生的污染物。Sequestrox體系不含有鈉，而且易于用去離子水沖洗掉。供應幾種不同型號的Sequestrox體系，客戶可根據(jù)硅裝置中的不同金屬部件進行選擇。 Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型Sequestrox 建議用于有銀和銅部件的半導體裝置、鉛-錫或其他焊料和鍍鎳硅件的蝕刻過程。 Ⅳ型Sequestrox 建議用于帶有鉬、鎢觸點和有銀、鋁、銅和鋼部件的半導體裝置的蝕刻過程。 應用 Sequestrox一般是通常在酸蝕刻過程之后用來去除p-n結裝置的損傷硅的。使用時對Sequestrox體系必須作適當選擇。使用Sequestrox蝕刻添加劑的典型步驟如下： Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型Sequestrox （用于帶有銀線的硅整流裝置） 第一步，在硝酸-HF-醋酸混合液中浸蝕裝置以去除損傷邊沿。用去離子水沖洗之。 第二步，預先混合等體積的Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液。立即將裝置放到此混合液中，超聲洗滌1-2分鐘。 第三步，加入Ⅲ型Sequestrox溶液（每100ml上述混合液加10 mlⅢ型溶液），再繼續(xù)超聲洗滌1.5分鐘。用去離子水沖洗之。 第四步，用丙酮，最好用Transene-100作最后超聲洗滌。 Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液 （用于銅螺栓固定的硅整流器） 第一步，在固定之前將硅片在硝酸-HF-醋酸混合液中進行浸蝕。 第二步，預先混合等體積Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液。立即將裝置放在混合液中，超聲沖洗1-2分鐘。 第三步，用去離子水沖洗。然后再用丙酮，最好是Transene-100，作最后全面沖洗。 Ⅳ型Sequestrox （用于帶有鉬觸點的硅整流器） 第一步，預先將硅進行浸蝕或固定。或是將帶有觸點的硅進行旋轉浸蝕以去除p-n結的損傷硅。 第二步，將裝置放在Ⅳ型Sequestrox溶液中，在室溫下超聲洗滌3分鐘。 第三步，用去離子水沖洗。然后用丙酮或Transene-100作超聲洗滌。 | 
