(硅化學拋光液) 硅的化學——機械拋光工藝 特點 · 用ESP?液拋光硅無須加拋光粉 · 拋光速率高 · 拋光表面無傷損、桔皮效應和坑凹等現象 · 表面潔凈、晶瑩剔透 · 還可以用來拋光鍺和其他半導體材料 說明 硅的化學拋光是基于銅-多氟化物化學的硅拋光工藝,它是一個簡單而高效率的制作高拋光度硅的方法。用此工藝制得的硅基尤其適合用于擴散工藝和外延沉積過程。 在拋光過程中使硅晶片與蒙有拋光布的拋光輪密切接觸。拋光布浸透著ESP拋光液,在拋光過程中,硅原子將被銅離子所置換。如此沉積的銅隨后又被拋光輪依次擦抹掉。在最佳拋光條件下銅的沉積和去除都十分容易。使用含多氟離子的緩沖溶液的特殊組成的ESP液可大大改進拋光過程。拋光過程總的離子反應是: Cu+2 Si0 + 6F- + 2(NH4)+ + 2Cu0 + (NH4)2SiF6 用ESP工藝拋光的硅,具有非常優良的質量,遠遠優于普通化學或機械法拋光產品。ESP法制得的表面潔凈、平滑、晶瑩剔透。而且此表面無損傷、坑凹和桔皮現象。又因為此工藝過程并不太受存在于硅材料中的受主和施主雜質的影響,所以無電阻環存在。 ESP液的性質 外觀 | 藍色澄清溶液 | PH | 5.25±0.05 | 臨界拋光壓力 | 2psi | 工作壓力 | 2.5-3psi | 拋光輪速 | 75rpm | 拋光輪 | Pellon pan w布或革 | 操作溫度 | 25℃ | 拋光速率 | | 在25℃ | 2密耳/小時 | 在40℃ | 4密耳/小時 | 有效期 | 4個月 |
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