（用于半導體技術） 用于固體硅裝置、晶體管、整流器和二極管 供在硅中制作n+觸點和p-n結的新型擴散劑 P擴散液（P-DIFFUSOL?） 一種制作p-n結和P觸點的P型擴散劑 特點 · 擴散均勻，消除了出現峰值的現象 · 保持硅的壽命特征 · 產生高表面濃度【N s】 · 產生低電阻觸點 · 允許同時進行p和n擴散 · 簡化擴散技術 · 使用方便，在擴散過程中允許堆疊晶片，在大氣環境下操作，成本低 說明 N-擴散液（N-Diffusol）是一種含n-型擴散劑的、擴散系數和元素磷相同的穩定液體擴散劑。擴散在空氣中高達1300℃的高溫下進行。擴散極為均勻。在擴散過程中有一種添加物成分起中和硅晶格中捕獲中心的作用。這樣便可以避免發生硅壽命特征退化現象。 P-擴散液（P-Diffusol）是含有P-型擴散劑的穩定液體擴散劑，其擴散系數和N擴散液（N- Diffusol）相近。在空氣中高達1300℃溫度下進行均勻擴散。 N和P擴散液的擴散常數（cm2/秒） 1000℃ | 3.0×10-14 | 1100℃ | 3.5×10-13 | 1200℃ | 3.0×10-12 | 1300℃ | 1.5×10-11 |
指導意見 N-擴散液（N-Diffusol）在使用之前一定要預先進行充分混合。必要時，需要用一根玻璃棒進行攪拌將可能生成的沉淀物分散開。 擴散液將用其覆蓋面在晶片邊沿1.6mm以內的駝毛刷采用涂覆技術涂到晶片上去。涂上擴散液之后，要加以干燥。因為N-擴散液干燥速率較為緩慢，所以需要用燈光適當加熱。將晶片水平疊放在石英舟中，n-涂面要彼此相對，同樣p-涂面也要彼此相對地疊放起來，在疊放的每一晶片的兩面可以用N-擴散液和P-擴散液同時進行N-擴散和P-擴散。 當情況允許時，也可用浸漬法進行擴散液的涂覆。 用來涂覆擴散液的硅片必須預先清洗干凈。建議在涂覆n或p擴散液之前要將晶片在HF中進行浸泡處理。 當需要較低的擴散液表面濃度時，可將n和p擴散液作適當稀釋。P-擴散液可以用甲醇進行稀釋，而N-稀釋液可以用乙二醇乙醚進行稀釋。 擴散 對擴散溫度需要進行選擇。有效操作溫時1275-1300℃，操作時間依裝置要求而定。對于高溫擴散工藝過程建議采用一端用石英堵住的開放式人造剛玉爐管。 在N和P擴散液數據表中所提供的擴散常數可以用來幫助計算準確擴散條件下半導體結的深度。N和P擴散液可以充當硅片的一個無限擴散劑源。 在進行擴散過程之后，經過將羅疊著的晶片在氫氟酸（HF）中進行最少24小時的長時間的浸泡從而把它們一一分離開來。 去除多余的擴散液 在擴散過程完成之后，通過在HF中長時間浸泡來去除硅片表面上多余的擴散液。對于深擴散情況，可以用以白云石粉（CaCO3）作研磨劑的S.S. White研磨工具進行輕輕磨光的方法去除多余的擴散劑。這后一過程能去除表面上的材料，但絲毫無損于硅片本身。 另一項有用的技術是在氧氣氛圍中于500℃加熱分離的經擴散處理過的晶片。在這種情況下，硅片表面上的擴散劑材料會變得更易溶解于HF。 | 
