（用于半導體技術） 用于半導體裝置的半導體級磷、砷、銻和硼。 適當的劑量包裝供擴散工藝使用。 施主型 粒狀五氧化二磷（P2O5） 三氧化二砷（As2O3） 受主型 粒狀硼酐（三氧化二硼B2O3） 粉狀硼酸（H3BO3） 說明 Transene擴散劑是超純半導體級化學試劑，它以合適方便的劑量包裝出售，供應固態擴散工藝的需求。Transene擴散劑不含水分，其規格超過了ACS關于化學純試劑材料的標準。供應類型包括硼酸、硼酐（受主型）和五氧化二磷（施主型），包裝以氮氣保護。 Transene擴散劑是通過擴散工藝摻入第Ⅳ族元素半導體的最主要的雜質材料。Transene擴散劑顆粒大小均勻，這就保證對吹徑擴散儀的載氣中擴散劑的濃度能作到良好控制。固態擴散過程依賴于硅（或鍺）與高溫下產生的硼和磷化合物蒸汽的化學反應。在半導體表面生成的薄膜變成了硼或磷的無限擴散之源。這些擴散過程易于調節控制從而得到p-n結和電阻觸點。 Transene擴散劑用于生產制作平面晶體管、場效應裝置、二極管、整流器以及其他硅和鍺裝置。使用Transene高純擴散劑是采用擴散技術制作高可靠性、優良質量半導體的基本保證。 Transene擴散劑（最低純度99.9%）的物理性質 性質 | 硼酸 | 硼酐 | 五氧化二磷 | 分子式 | H3BO3 | B2O3 | P2O5 | 熔點 | 61.84 | 64.69 | 141.96 | 蒸發熱（K卡/克分子） | -- | -- | 22.7（P2O5） | 正四面體半徑比 B/Si or P/Si | 0.75 | 0.75 | 0.93 | 雜質濃度 （在鍺中） （在硅中） | 0.0104 0.045 | 0.0104 0.045 | 0.0120 0.050 | 活化能（K卡/克分子） （在鍺中） （在硅中） | 105 85 | 105 85 | 57 85 | 指前因子擴散系數，Do（cm2/秒） （在鍺中） （在硅中） | 1.6×109 10.5 | 1.6×109 10.5 | 2.5 10.5 | 擴散常數（cm2/秒） （在鍺中） （在硅中） | 8.7×10-15 @ 950℃ 6.4×10-12 @ 1275℃ 0.4×10-12 @ 850℃ | 7.7×10-15@ 950℃ 5.0×10-12@ 1235℃ 8×10-11@ 900℃ | 表面濃度（原子數/cm3） （在硅中） | 8×1021 @ 950℃ 1×1021@ 1275℃ | 2.5×1021 @ 950℃ 6×1020 @ 1235℃ |
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