(半導體缺陷描繪蝕刻劑) (用以表征和鑒定半導體中的晶體缺陷) WRIGHT蝕刻劑—硅 AB-蝕刻劑—砷化鎵 Wright蝕刻劑可以揭示晶體位錯、堆垛層錯、漩渦、條紋和滑移線。此蝕刻劑可應用于廣范圍電阻的P型和N型晶體的(100)和(111)晶向??梢杂脕肀碚鞲^和Czochralski晶體。 AB蝕刻劑可蝕刻(100)和(110)晶面,從而揭示晶體位錯、條紋、堆垛層錯和滑移線。Wright蝕刻劑和AB蝕刻劑可有效地清晰勾畫出晶體缺陷,基低蝕刻速率和低釋熱量使得便于精密控制,而且通過蝕刻所顯示的晶體缺陷具有良好結晶學特征。 性質 組成 | 強氧化酸 | PH | <1 | 密度 | 1.1-1.2 | 蝕刻容器 | 聚乙烯或聚丙烯 | 沖洗 | 水 | 貯存 | 室溫、避熱 | 處理 | 以水稀釋,以堿中和 |
注意事項:含有氫氟酸,使用時要當心。 以夸脫和加侖量聚乙烯瓶裝出售 |