（氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜的選擇性蝕刻劑）
新半導(dǎo)體技術(shù)中氮化硅[Si3N4]、氮化鎵[GaN]或氧化鋁[Al2O3]膜的快速可控蝕刻。
獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)
· 使用方便
· 選擇蝕刻氮化硅、氮化鎵或氧化鋁膜
· 可反復(fù)使用，作用不會(huì)隨使用而減少
· 不產(chǎn)生毒性煙霧，不需要使用通風(fēng)櫥
· 實(shí)際上消除了上蝕或下蝕現(xiàn)象
· 保證硅半導(dǎo)體部件的平面鈍化
說明
Transetch—N是用正磷酸制備的純試劑，它可以在硅或氧化硅存在下實(shí)現(xiàn)氮化硅或氧化鋁的選擇蝕刻。使用它在膜上蝕刻的開口其分辨率和普通平面技術(shù)對SiO2所得到的分辨率相當(dāng)，但同時(shí)對暴露的硅和二氧化硅表面基本上沒有不良影響。使用它時(shí)，對光刻膠、工藝的要求基本上和常慣蝕刻操作過程一樣，額外要求很少，而且成本不高。
Transetch—N不含氟化物。與氟化物基的蝕刻劑不同，TRANSETCH—N不造成下蝕現(xiàn)象，因此在選擇蝕刻時(shí)間方面具有寬的安全活動(dòng)余地。Transetch—N性質(zhì)穩(wěn)定,使用壽命長。
物理性質(zhì)
液體 | 無色、無味 |
沸點(diǎn)（釋水） | 180℃ |
比重，20℃ | 1.757 |
蝕刻速率，180℃： | |
氧化鋁 | 120 ?/分 |
氮化硅 | 125 ?/分 |
氮化鎵 | 80 ?/分 |
二氧化硅 | 1 ?/分 |
硅 | 1 ?/分 |
應(yīng)用
TRANSETCH—N用于以沉積Si3N4和Al2O3為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體部件的表面鈍化新技術(shù)。這一新技術(shù)可以生產(chǎn)高質(zhì)量的可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)品，尤其有利于MOS和MIS裝置的穩(wěn)定化。實(shí)際上消除了逆溫層和離子遷移：漏泄電流通路理論；表面狀態(tài)得到很好控制。
指導(dǎo)意見
TRANSETCH—N能很好應(yīng)用于作為沉積膜的掩蓋層的沉積SiO2的蝕刻層。當(dāng)剛剛沉積了鈍化膜之后，便能很方便地加上SiO2膜層。為此目的1000 ?的厚度通常便足夠了。
用通常的工藝過程在光刻膠和沉積
SiO2上得到需蝕刻的開口路線的圖案。然后用鉻酸—硫酸涂膜消除劑去除光刻膠。將去除光刻膠并沖洗過的基片置于煮沸的TRANSETCH—N液中一段時(shí)間，以便允許以每分鐘100 ?的速率進(jìn)行蝕刻過程。而后用沖洗掉所有殘余的蝕刻液。這里需要注意的是，要將
TRANSETCH—N的沸點(diǎn)穩(wěn)定地保持在180℃。這就需要把其中水的蒸發(fā)量控制到最低。隨時(shí)可以添加少量蒸餾水，以保證TRANSETCH—N液的沸點(diǎn)不超過180℃。
