(Fe2O3透明光掩膜的制備) 說明 氧化鐵光掩膜蝕刻劑建議用在制備微電子裝置的光刻成象技術中，在玻璃上蝕制電阻光掩膜或半透明光掩膜圖案。 固體電路裝置的制作在極大程度上依賴于印影法以便得到輪廓清晰的圖案。在使用適當的蝕刻劑的條件下，本技術采用氧化鐵透明光掩膜代表一個最佳選擇。本公司提供兩種這樣的蝕刻劑：ME-10型和標準的ME-30型，兩者價格低廉。 玻璃上的氧化鐵透明光掩膜易于校準并適應于小的幾何圖形，這正好滿足了微電子工業的要求，使用氧化鐵光掩膜正象使用鉻光掩膜一樣，不需要的光線都被吸收，而不反射。暈光效應從而降至最低。此外，使用氧化鐵光掩膜，小孔密度大為降低，比點對大規模集成電路的制作至關重要。蝕刻速率和氧化鐵的熱處理史有關。受高熱后，Fe2O3會變得不溶于稀酸。在180℃的高溫下得到的CVD材料表現不溶性。因此，為了便于蝕刻起見，Fe2O3膜的生成溫度應當低于160℃。建議光掩膜厚度控制在2000?±200 ?范圍。 氧化鐵光掩膜蝕刻劑的性質 | ME-10 | ME-30 | 外觀 | 淡綠色液體 | 澄清液體 | 蝕刻速率，室溫 | 50 ? /秒 | 25 ? /秒（對Fe2O3，155℃沉積） | 沖洗 | 水 | 水 | 有效期 | 6個月 | 1年 | 閃點 | 不可燃 | 不可燃 | 匹配性 | 陰性和陽性光刻膠 | 同左 | 小孔密度 | 無缺陷 | ＞0 | 分辯率 | ＜1微米 | 1微米 |
應用 采用標準光刻法成象和顯示圖案，然后按下面步驟進行蝕刻： Ⅰ. 在25℃將涂氧化鐵的板浸泡在蝕刻液中 Ⅱ. 進行緩慢攪動或搖動 Ⅲ. 在完全去除暴露的氧化鐵之后，在去離子水浴下沖洗之。 | 
