膜 | TRANSENE公司蝕刻劑 | 蝕刻速率 | 光刻膠 | 應用 |
Al | 標準鋁
蝕刻劑-A
蝕刻劑-D | 25℃ 40℃
30?/秒 80?/秒
40?/秒 125?/秒 | 陰性和陽性 | 半導體和集成電路
GaAs 和 GaP 裝置 |
Al2O3 | TRANSETCH - N | 120?/秒，180℃ | SiO2 | 半導體裝置 |
Co2Si | 硅化鈷 | 10?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 微電子元件 |
Cr | 鉻蝕刻劑-473
鉻蝕刻劑-TFD
鉻蝕刻劑-1020 | 25℃ 4℃ 14?/秒 25?/秒
50?/秒 | 陰性和陽性 | 薄膜線路 |
Cr-CrO | 鉻蝕刻劑-TFD
鉻蝕刻劑-1020 | 不固定 不固定 | 陰性，陽性 | 薄膜線路 |
Cr-Si
Cr-SiO | 鉻陶瓷
蝕刻劑 - TFE | 1000?/分，50℃ | 陰性 | 薄膜線路 |
Cu | 銅蝕刻劑 100
銅蝕刻劑 200
APS 銅 100 | 1 密爾/分，50℃
0.5密爾/分，50℃
80?/秒，40℃ | 屏幕光刻膠
陰性和陽性 | P.C. 板
薄膜線路 |
GaAs | 砷化鎵 | 20-100?/秒 | 陰性 | 微電子件 |
GaN | 氮化鎵 | 80?/分，180℃ | 陰性和陽性 | 半導體和 IC |
Ga2O3 | 氧化鎵 | 10秒@25℃ | 陰性 | 鈀觸點 |
GaP | 磷化鎵 | A面(Ga):115μ/小時，80℃
B面(P):210μ/小時，80℃ | 陰性 | 光發射二級管 |
Ge | 鍺 | 250?/秒，20℃ | 陰性和陽性 | 半導體裝置 |
Au | 金蝕刻劑 TFA | 28?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 薄膜線路 |
In2O3 | 氧化銦 | 3分，25℃ | 陰性 | 鈀觸點 |
InP | 磷化銦 | 30分，25℃ | 陰性 | 鈀觸點 |
Fe2O3 | 氧化鐵 ME-10 | 50?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 微電子件 |
Mo | 鉬蝕刻劑 TFM | 55 ?/秒，30℃
85 ?/秒，60℃ | 陰性 | 鈀觸點 |
Nb | 鈮 | 50?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 微電子件 |
Ni-Cr | 鎳鉻蝕刻劑 - TFC
鎳鉻蝕刻劑 - TFN | 20?/秒，25℃
50?/秒，40℃ | 陰性和陽性 | 薄膜線路 |
Ni | 鎳蝕刻劑 - TFB
鎳蝕刻劑 - TFG | 30?/秒，30℃
50?/秒，40℃ | 陰性和陽性 | 薄膜線路 |
Pd | 鈀蝕刻劑 - TFP | 110?/秒，50℃ | 陰性和陽性 | 薄膜線路 |
Pt | 鉑蝕刻劑 1:1 | 10?/秒，25℃ | 陽性 | 薄膜線路 |
Si | 硅慢速蝕刻劑
硅中速蝕刻劑 | 不固定
不固定 | KMER
PKP Ⅱ型 | 半導體裝置 |
SiO2 | HF 緩沖劑（熱生長） 硅氧蝕刻劑（沉積） | 800?/分，25℃
2400?/分，25℃ | 陰性和陽性 | 半導體和IC |
SiO | 一氧化硅蝕刻劑 | 5000?/分，85℃ | 陰性和陽性 | 半導體裝置 |
Si3N4 | TRANSETCH - N | 125?/分，180℃ | SiO2 (Silox) | 半導體與集成線路 |
Ag | 銀蝕刻劑 - TFS | 200?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 半導體和IC |
Ta | 鉭蝕刻劑-8607 | 70?/秒，25℃ | 陰性和陽性 | 電容器，IC |
Ti | 鈦蝕刻劑 - TFT | 25?/秒，20℃
50?/秒，30℃ | 陰性和陽性 | 集成線路 |
Ti-W | 鈦鎢蝕刻劑 TiW-30 | 20?/秒 | 陰性和陽性 | 粘結層 |
W | 鎢蝕刻劑 TFW | 140?/秒，30℃ | 陰性和陽性 | 集成線路 |
SnO,ITO | TE-100 | 30分，25℃ | 屏幕光刻膠 | 電子線路 |
注：陰性光刻膠材料包括KPR、KTFR、PKP II型和WAYCOAT；
陽性光刻膠材料包括
AZ－111、AZ 1350和Micro Positive 809（微陰性809）。
