磷化鎵蝕刻劑GaP

本品用于光發射二極管和帶電隔離的陣列中磷化鎵的化學控制性蝕刻。

·產生光滑無痕的表面

·不浸蝕硅、鈦光掩膜或波束引導金屬膜

·消除表面損傷

·能蝕刻＜100＞和＜111＞晶向

·80℃時蝕刻速率為5密耳/小時

Transene磷化鎵蝕刻劑是設計用于制造光發射二極管和二極管陣列的有效蝕刻劑。它可用來對磷化鎵進行化學控制蝕刻制出面式晶體管結構，以滿足生產高效率光發射二極管和隔離光發射二極管以產生字母數字顯示器的矩陣的需要。在隔離過程中，光發射二極管成型為拱面結構，這是高效電發光裝置所必不可少的。這種蝕刻劑與引導波束技術還非常匹配。

Transene磷化鎵蝕刻劑對所有晶向都表現很高的蝕刻速率，GaP＜100＞晶向各晶面都可均勻蝕刻，產生一個光滑無痕的表面。而＜111＞向的晶面蝕刻情況有所不同，＜111＞（Ga的 A面）產生光滑的橘皮樣面，而＜111＞（P的B面）變得光滑無痕。N型和P型GaP的蝕刻速率彼此相當。

GaP蝕刻劑穩定無毒、廉價易用，可用于磷化鎵光發散二極管和波束引導電發光裝置。該蝕刻劑不浸蝕Pd、Au和Pt引導波束金屬膜，對Ti和SiO₂光掩膜的浸蝕性甚微。

Transene磷化鎵蝕刻劑用光發射二極管的多種生產過程。首先用這種蝕刻劑消除機械拋光的P型和N型磷化鎵表面上的損傷。接著裝置制備按下列步驟進行：

1.    用GaP蝕刻劑和SiO₂光掩膜制出面式晶體管構型圖。

2.    用光刻技術波束引導金屬和接觸金屬。

3.    用砂輪切割機把GaP晶片分離到個別模中，接著用Transene GaP蝕刻劑進行化學蝕刻。