可各向異性地蝕刻＜100＞和＜110＞晶面上的硅。 擇優(yōu)硅蝕刻劑PSE-200，為堿性基蝕刻劑，蝕刻＜110＞晶向?yàn)榫哂写怪北诘奈g刻劑。 最佳硅蝕刻劑PSE-300為乙二胺基蝕刻劑，蝕刻＜100＞晶向。 PSE-300S、PSE-300F具有更快蝕刻速率。 說明 擇優(yōu)硅蝕刻劑配方在某一特定晶向面上具有更大的蝕刻速率。這種各向異性蝕刻劑可用于引導(dǎo)波束技術(shù)分離硅片和在集成電路上蝕刻得到電絕緣。此蝕刻劑體系還可以用于硅的化學(xué)成型，作為蝕刻劑，它們可以和Ag\\Cu\\Au\\Ta或SiO2光掩膜材料同用，此時(shí)這些材料不被浸蝕。供應(yīng)兩種蝕刻劑體系：其中PSE-200是堿性基蝕刻劑，使用安全而且蝕刻速率最快。它用于硅上蝕刻深壁圖案。PSE-300是乙二胺基蝕刻劑，蝕刻速率中等。為了進(jìn)行更快的蝕，可購置PSE-300S和PSE-300F。 擇優(yōu)硅蝕刻劑的性質(zhì) | PSE-200 | PSE-300 | 外觀 | 無色無味的液體 | 澄清液體 | 組成 | 堿基 | 乙二胺基 | 沸點(diǎn) | ＞100℃ | 118℃ | 操作溫度 | 75-100℃ | 100℃ | 擇優(yōu)作用晶向 | ＜110＞向 | ＜100＞向 | 其他常用晶向 ＜111＞晶面 | ---- | ＜110＞可用 ＜111＞可忽略 | 蝕刻速率 | 1密耳/3分，100℃ | 25μ/小時(shí)，＜100＞ | 沖洗 | 水 | 水 | 金屬膜 | 浸蝕Al 不浸蝕Au
中等浸蝕Ag | 浸蝕Al,Cu 不浸蝕Au,Ta
中等浸蝕Ag | SiO2 | 不浸蝕 可用作光掩膜 | 可忽略 |
應(yīng)用 用PSE-300蝕刻的過程最好在安有回流管的燒瓶中進(jìn)行。緩緩加熱燒瓶，正好加熱至蝕刻劑的沸點(diǎn)。在蝕刻臺面型晶體管時(shí)PSE-200通常與熱生長氧化硅光掩膜配合使用。這種蝕刻劑一般在其接近沸點(diǎn)的溫度下進(jìn)行操作。硅晶片表面存在的氧化物對于蝕刻過程有干擾的作用。因此需要將硅晶片在HF或加有緩沖劑的HF中浸泡。 | 
