鎳鉻蝕刻劑TFC和TFN設計用來蝕刻鎳鉻薄膜以制備微電子產品。鎳鉻蝕刻劑陰、陽性光刻膠都具有良好匹配性,能蝕刻出細線條,而邊下蝕極低。經0.2微米過濾的高純度配方劑適合于制作高嚴格度的微電子產品。 鎳鉻蝕刻劑TFC 蝕刻速率較低,可精密控制 鎳鉻蝕刻劑TFN 極好的細線蝕刻控制,操作均勻一致,邊下蝕低。 特點 ·高純度 ·0.2微米過濾 ·與陰,陽性光刻膠匹配性良好 ·可細條控制 ·蝕刻速率均勻 說明 Transene鎳鉻蝕刻劑TFC和TFN是分別基于硫酸鈰和高鈰銨硝酸鹽的高純度體系。鎳鉻蝕刻劑在薄膜電路制作中可提供清晰、精密的蒸發鎳鉻層。這些鎳鉻蝕刻劑是由紫外高純半導體級試劑組成,并經0.2微米過濾去除了細微顆粒物質。 性質 | TFC | TFN | 外觀 | 橙色 | 橙色 | 化學物質基 | 硫酸鈰 | 高鈰銨硝酸鹽 | 比重 | ----- | 1.127-1.130 | 過濾 | 0.2微米 | 0.2微米 | 操作溫度 | 25℃ | 40℃ | 蝕刻速率 | 30 ? /秒,25℃ | 50 ? /秒,40℃ | 蝕刻能力 | 168g/加侖 | | 沖洗 | 1%硫酸/去離子水 | 去離子水 |
應用 鎳鉻蝕刻劑可以在室溫下操作,也可以在較高溫度下操作以提高速率。鎳鉻蝕刻劑要求首先用1%硫酸沖洗,而后再以去離子水沖洗,以便除去蝕刻液殘余物。鎳鉻蝕刻劑TFN是一個改進配方,它可以蝕刻出更加清晰的線條,而且無需立刻沖洗。 |