（微型電子產(chǎn)品中鋁的蝕刻劑） 用本化學(xué)蝕刻劑與陰性和陽性光刻膠都具有良好匹配性，能用于集成電路、半導(dǎo)體、二極管、MOD和FET裝置中電阻觸點(diǎn)和連接線的刻制。 鋁蝕刻劑，A型 本標(biāo)準(zhǔn)鋁蝕刻劑可用于硅裝置及其他微型電子產(chǎn)品。 鋁蝕刻劑，D型 本標(biāo)準(zhǔn)鋁蝕刻劑可用于砷化鎵，其他砷化物，以及砷化鎵部件，還可用于蝕刻鎳鉻電阻上的金屬鋁。 本產(chǎn)品的特點(diǎn) · 蝕刻速率可以控制 · 蝕刻選擇性好，不浸蝕SiO2 或Si3N4 · 分辨率高，邊下蝕現(xiàn)象最低 · 無污點(diǎn)形成 · 經(jīng)濟(jì)，可反復(fù)使用 說明 Transene公司鋁蝕刻劑是提供用以蝕刻硅部件上和集成電路中金屬鋁的穩(wěn)定無毒的成方制劑。可以刻制鋁觸點(diǎn)和連接線。這些鋁蝕刻劑具有能克服鋁蝕刻過程中出現(xiàn)的許多問題的獨(dú)特性能。 鋁金屬化和使用光印刷術(shù)的蝕刻工藝是半導(dǎo)體和微型電子技術(shù)的基礎(chǔ)。Transene公司的鋁蝕刻劑與市售光刻膠（KTFR，AZ、Hunt、Waycoat等）具有良好匹配性，可以蝕刻出高分辨率圖案。可以得到寬度為1密耳的金屬線，線間距可小于5微米。Transene公司的鋁蝕刻劑分辨率高，因?yàn)樗粍兠摴饪棠z，這樣蝕刻線邊下蝕現(xiàn)象就最少。而且該蝕刻劑不浸蝕硅、二氧化硅、氮化硅或鎳鉻電阻膜。 供應(yīng)兩種鋁蝕刻劑用于微型電子器件。其中A型鋁蝕刻劑建議用于硅部件，D型建議用于砷化鎵和磷化鎵部件以避免蝕刻劑對金屬互化物的浸蝕作用。也建議用于蝕刻鎳鉻薄膜電阻上的金屬鋁。 Transene公司鋁蝕刻劑性能 | A型 | D型 | 外觀 | 液體 | 淡黃色 | PH | 1.0 | 1.0 | 沸點(diǎn) | > 100℃ | > 150℃ | 冰點(diǎn) | < 0℃ | < 0℃ | 25℃時(shí)比重 | 1.45 | 1.50 | 閃點(diǎn) | 不可燃 | 不可燃 | 溶解度 | 溶于水 | 溶于水 | 蝕刻速率 | | | 25 °C | 10 ?/秒 | 40 ?/秒 | 40 °C | 80 ?/秒 | 125 ?/秒 | 50 °C | 100 ?/秒 | 200 ?/秒 | 65 °C | 240 ?/秒 | ---------- | 75 °C | 550 ?/秒 | ---------- |
注：蝕刻速率因鋁純度不同而微有區(qū)別。 應(yīng)用 用真空沉積法在硅片上鍍一層厚25000 ?的鋁膜，涂以光刻膠，上面覆蓋上攝影片，在紫外光源下暴光。光刻膠顯示圖案，其中作為連接線的鋁被保護(hù)，而不受保護(hù)部分的鋁則被鋁蝕刻劑浸蝕除掉。隨后用水沖洗。 蝕刻時(shí)間根據(jù)蝕刻溫度和鋁膜厚度而定。在蝕刻厚鋁膜時(shí)，蝕刻速率要高，此時(shí)要在較高溫度下進(jìn)行蝕刻。與此相反，對于薄鋁膜則需要蝕刻速率慢，蝕刻溫度低。在某一具體溫度下，蝕刻時(shí)間可根據(jù)下列公式計(jì)算： 蝕刻時(shí)間（分鐘）= 膜厚（?） 蝕刻時(shí)間（?/秒）* 60 | 
