(用于微型電子線路) 金蝕刻劑用于選擇蝕刻金和陰，陽性光刻膠都有良好匹配性。用在膜電子產品中制作線路元件。 特點 ·蝕刻易于控制，邊下蝕低，蝕刻線精細 ·室溫操作 ·蝕刻速率均勻 ·價錢低廉 金蝕刻劑TFA 高純度，低鈉含量，0.2微米級過濾，用于微型電子產品，蝕刻金和鎳 金蝕刻劑TFAC 用于砷化鎵其他金屬間化合物及半導體的選擇蝕刻。 金蝕刻劑GE-8148 用于鎳膜結的選擇蝕刻，蝕刻速率高。 金蝕刻劑GE-8110 用鎳膜結的控制速率蝕刻 金蝕刻劑GE-8111 低PH、低蝕刻速率與鎳匹配性良好 金蝕刻劑TFA/GE-8148 說明 金薄膜蝕刻劑在光刻法制作微電子線路中用以選擇蝕刻金。和光刻技術相結合這些蝕刻劑可在氧化鋁或其他基板上的薄膜上制作精密電極和電阻圖案。其純度高鈉含量低，0.2微米過濾，可用于半導體和微型電子產品。 金蝕刻劑TFA，不含氰化物，用于制作標準產品 金蝕刻劑GE-8148，不含氰化物，不浸蝕鎳膜 | TFA | GE-8148 | 操作溫度 | 室溫 | 室溫 | 通風 | 建議用通風櫥 | 建議用通風櫥 | 攪拌 | 攪拌可加快蝕刻速率 | 攪拌可加快蝕刻速率 | 罐 | 玻璃 | 玻璃 | 蝕刻速率，25℃ | 28 ? /秒 | 50 ? /秒 | 組成 | 液體中含KI-I2絡合物 | 液體中含KI-I2絡合磷酸鹽化合物 | PH（20℃） | | 8.15±0.2 | 密度（20℃） | | 1.265±0.01 | 蝕刻能力（g/加侖） | 100 | 100 | 光刻膠相匹配性 | 陰，陽光刻膠 | 陰，陽光刻膠 | 沖洗 | 蒸溜水，去離子水 | 蒸溜水，去離子水 | 廢液處理 | 按國家有關規定處理 |
雜質最大含量 | (ppm) | 鈉（Na） | 40 | 氯和溴（CL） | 100 | 鉛(Pb) | 5 | 鐵(Fe) | 3 | 硫(作為硫酸鹽) | 50 | 磷(作為磷酸鹽) | 10 |
金蝕刻劑TFAC (用于金屬間化合物基板) 說明 金蝕刻劑TFAC是用于在砷化鎵、磷化鎵以及其他金屬間化合物基板上制作微型電子線路的選擇性蝕刻劑。金蝕刻劑蝕刻線條精細，邊下蝕低。這些氰化物蝕刻劑蝕刻速率均勻，金蝕刻劑TFAC從銅、黃銅、青銅、鎳和其他有色金屬上（銀除外）刻蝕金。 性質 操作溫度 | 室溫 | 通風 | 通風櫥 | 攪拌 | 攪拌加快蝕刻速率 | 罐材 | 聚丙烯 | 蝕刻速率，25℃ | 5-10 ? /秒 | 蝕刻速率，60℃ | 30 ? /秒 | 組成 | 含氰化物粉。使用前用水稀釋(8盎司/加侖) | 蝕刻能力，60℃ | 65×10-6英寸/2分 | 沖洗 | 水 | 處理 | 見下面 |
應用 將水加熱于50℃以幫助溶解。在每加侖去離子水中加8盎司金蝕刻劑TFAC粉，蝕刻導體圖案去除金膜，蝕刻時間長短依膜厚度而定，保存蝕刻廢液回收其中的金。 廢液處理：分離溶液。氰化物小心按照國家和地方有關規定處理。 金蝕刻劑GE-8110和GE-8111 MEC GE-8110和GE-8111金蝕刻劑是專門設計在制作半導體裝置和薄膜微型電子器件時用于蝕刻金膜的蝕刻溶液。這種溶液由碘化鉀和碘（KI/I2）制成，不含有氰化物。它們與陰，陽性光刻膠都有良好匹配性。可蝕刻可控制的精細線條。 GE-8110用緩沖液控制在PH8.0，而GE-8111含低量固體，呈中等酸性，它是一種作用較緩慢的蝕刻溶液。此兩種蝕刻劑應在通風區進行室溫操作。 物理和化學性質 外觀與氣味：兩者為帶有碘蒸汽氣味的褐色液體 | GE-8110 | GE-8111 | PH | 7.9±0.1 | 2.5±0.1 | 密度（20℃） | 1.33±0.01 | 1.15±0.01 |
試劑級化學品 雜質 | PPM（最大） | 最大雜質含量PPM | | 鈉(Na) | 40 | 氯和溴化物（Cl） | 100 | 鉛(Pb) | 5 | 鐵(Fe) | 3 | 硫(作為硫酸鹽) | 50 | 磷(作為磷酸鹽) | 10 |
貯存與處理 在室溫下避開陽光存放，當不使用時，容器要密封。碘蒸汽可使眼睛嚴重感染炎癥，要在通風處打開瓶蓋。萬一觸及眼睛和皮膚時，要用大量清水沖洗（對皮膚可用肥皂水沖洗），如果炎癥持續不退，可延醫診治。 包裝 1夸脫裝和1加侖裝 | 
