(用于制作薄膜電路)
本品是適用于蒸發或電鍍法鍍制鎳膜的蝕刻劑。這種蝕刻劑與陽性和陰性光刻膠都有良好的匹配性。它用于氧化鋁基板上,是金、鎳、鎳鉻或鉻電阻的理想蝕刻劑。
鎳蝕刻劑TFB
用于蒸發鎳薄膜上的標準鎳蝕刻劑
鎳蝕刻劑TFG
用于蝕刻電沉積鎳薄膜的高純蝕刻劑。鎳蝕刻劑TFG與銅、砷化鎵以及其他Ⅲ-Ⅴ化合物相匹配。
鎳蝕刻劑Ⅰ型
用于蝕刻鎳、鎳-鐵合金和不銹鋼的高純蝕刻劑
特點
·廉價經濟
·與陽性、陰性光刻膠都相匹配
·線條輪廓清晰
·蝕刻速率均勻
說明
Transene薄膜蝕刻劑(鎳TFB和鎳TFG)是高純硝酸鹽基蝕刻劑用于蝕刻蒸發或電鍍鎳膜,鎳蝕刻劑與陰、陽性光刻膠材料都具有良好匹配性。建議使用的光刻膠為AZ-111,AZ-1350OH和KMER。鎳蝕劑用于蝕刻金、鎳、鎳鉻膜以制作電阻板。鎳蝕刻劑TFG與銅相匹配。
性質
蝕刻劑 | TFB | TFG |
操作溫度 | 25℃ | 40℃ |
蝕刻速率 | 30 ? /秒 | 50 ? /秒 |
鎳沉積法 | 蒸發/陰極濺鍍 | 化學鍍/電鍍 |
蝕刻能力 | 270g/加侖 | ----- |
典型膜厚 | 1500 ? /5-50微英寸 | ----- |
罐 | 玻璃 | 玻璃 |
應用
鎳蝕刻劑是浸泡型購來馬上可用的蝕刻劑,蝕刻速率通過操作溫度加以控制。鎳通常在氧化鋁基板上夾于金和鎳鉻或鉻之間,對蒸發法或化學鍍制的鎳都適用。實際蝕刻時要根據膜厚和操作溫度控制蝕刻時間,不過對于蒸發法鎳一般是1分鐘,而對于化學鍍鎳是4分鐘。蝕刻過后應用水沖洗。
鎳蝕刻劑Ⅰ型
說明
Ⅰ型鎳蝕刻劑是用于蝕刻鎳、鎳-鐵合金、鐵、氧化鐵以及某些種不銹鋼的高純蝕刻劑,他也可以蝕刻銅。和廣范圍光刻膠包括KPR、Dynachem、AZ、 Riston以及屏幕光刻膠,都相匹配。Ⅰ型鎳蝕刻劑含有金屬螯合劑成份以優化其性能。它不浸蝕金膜。
性質
操作溫度 | 30-60℃ |
罐 | 玻璃 |
沖洗 | 水 |
蝕刻速率,Ni | 3密耳/小時,40℃ |
蝕刻速率,Ni-Fe | 400 ? /秒,50℃ |
蝕刻速率,不銹鋼 | 45 ? /秒,250℃ AISI 316 105 ? /秒,130℃ AISI 316 500 ? /秒,45℃ AISI 304 |
蝕刻速率,Fe2O3 | 50 ? /秒,50℃ |
蝕刻速率,Cu | 1密耳/分,40℃ |
攪拌 | 連續攪拌,中等速度 |
應用
Ⅰ型鎳蝕刻劑在較高溫度,一般是30-60℃操作。為了得到均勻蝕刻效果,一般要進行連續攪拌。Ⅰ型鎳蝕刻劑可以蝕刻一系列金屬,金屬合金,和金屬氧化物材料。