鈦蝕刻劑
鈦蝕刻劑是應用于半導體制作和薄膜微電子技術的選擇性控制蝕刻劑。
鈦蝕刻劑TFT是設計用來蝕刻通常在微電子產品中作為連結層和阻擋層的蒸發法薄膜的蝕刻劑。這種蝕刻劑光刻膠匹配性良好、分辨率高、邊下蝕現象低。
鈦蝕刻劑TFTN用來蝕刻玻璃或SiO2基板上的Ti沉積膜。TFTN并不含有氫氟酸。
性質 | TFT | TFTN |
外觀 | 澄清水溶液 | 澄清水溶液 |
PH | 1 | 1 |
閃點 | 不可燃 | 不可燃 |
貯存 | 室溫 | 室溫 |
有效期 | 1年 | 1年 |
毒性 | 強酸 | 強酸 |
操作 | | |
蝕刻容器 | 聚乙烯/聚丙烯 | 聚乙烯/聚丙烯 |
溫度 | 20~50℃ | 70~85℃ |
蝕刻速率 | 25 ?/秒,20℃ 50 ?/秒,30℃ | 10 ?/秒,70℃ 50 ?/秒,80℃ |
沖洗 | 水 | 水 |
*匹配光刻膠 | 陰性和陽性 | 陰性和陽性 |
金屬 | —— | 除Al以外的大多數金屬 |
*KPR/KMER/KTFR:PKP(Transene);AZ/RISTON/ETC.